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1、内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS ， 单位为时钟周期 。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字 ， 例如7-8-8-24 。
【内存时序是什么意思 内存时序简介】2、第四个参数（RAS）经常被省略 ， 而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率） ， 通常为2T或1T ， 也写作2N、1N 。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间） 。较低的数字通常意味着更快的性能 。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间 ， 通常以纳秒为单位 。
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