肖特基势垒( 二 )


下面我们把目光转到太阳电池的内部,详细研究能量转换过程 。太阳电池由硅pn结构成,在表面及背面形成无整流特性的欧姆接触 。并假设除负载电阻r外,电路中无其它电阻成分 。当具有hν(ev)(hν>eg,eg为硅的禁带宽度)能量的光子照射在太阳电池上时,产生电子―空穴对 。由于光子的能量比硅的禁带宽度大,因此电子被激发到比导带底还高的能级处 。对于p型硅来说,少数载流子浓度np极小(一般小于105/cm),导带的能级几乎都是空的,因此电子又马上落在导带底 。这时电子及空穴将总的hν - eg(ev)的多余能量以声子(晶格振动)的形式传给晶格 。落到导带底的电子有的向表面或结扩散,有的在半导体内部或表面复合而消失了 。但有一部分到达结的载流子,受结处的内建电场加速而流入n型硅中 。在n型硅中,由于电子是多数载流子,流入的电子按介电驰豫时间的顺序传播,同时为满足n型硅内的载流子电中性条件,与流入的电子相同数目的电子从连接n型硅的电极流出 。这时,电子失去相当于空间电荷区的电位高度及导带底和费米能级之间电位差的能量 。设负载电阻上每秒每立方厘米流入n个电子,则加在负载电阻上的电压v=qnr=ir表示 。由于电路中无电源,电压v=ir实际加在太阳电池的结上,即结处于正向偏置 。一旦结处于正向偏置时,二极管电流id=i0[exp(qv/nkt)-1]朝着与光激发产生的载流子形成的光电流iph相反的方向流动,因而流入负载电阻的电流值为在负载电阻上,一个电子失去一个qv的能量,即等于光子能量hν转换成电能qv 。流过负载电阻的电子到达p型硅表面电极处,在p型硅中成为过剩载流子,于是和被扫出来的空穴复合,形成光电流
肖特基 MC7808ABTG 的特点
制造商:ON Semiconductor
系列:-:
包装 ?:管件
零件状态:在售
输出配置:正
输出类型:固定
稳压器数:1
电压 - 输入(最大值):35V
电压 - 输出(最小值/固定):8V
电压 - 输出(最大值):-
压降(最大值):2V @ 1A(标准)
电流 - 输出:1A
电流 - 静态(Iq):6mA
PSRR:62dB(120Hz)
控制特性:-
保护功能:超温,短路
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
基本零件编号:MC7808
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