【场效应管的原理】
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1、场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID” 。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故 。
2、场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管 。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemi conductor FET，简称MOS-FET） 。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管 。它属于电压控制型半导体器件 。
3、在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动 ， 在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动 。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层 。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象 。
4、电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用 。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通 。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通 。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反 。
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