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PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别

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PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别

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PMOS,NMOS,CMOS,BIOS的主要区别在导通特性 ， 开关管损失 ， 驱动方面
【PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别】1、导通特性
NMOS的特性 ， Vgs大于一定的值就会导通 ， 适合用于源极接地时的情况（低端驱动） ， 只要栅极电压达到4V或10V就可以了 。PMOS的特性 ， Vgs小于一定的值就会导通 ， 适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动） 。但是 ， 虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动 ， 但由于导通电阻大 ， 价格贵 ， 替换种类少等原因 ， 在高端驱动中 ， 通常还是使用NMOS 。
2.MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS ， 导通后都有导通电阻存在 ， 这样电流就会在这个电阻上消耗能量 ， 这部分消耗的能量叫做导通损耗 。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗 。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右 ， 几毫欧的也有 。MOS在导通和截止的时候 ， 一定不是在瞬间完成的 。
MOS两端的电压有一个下降的过程 ， 流过的电流有一个上升的过程 ， 在这段时间内 ， MOS管的损失是电压和电流的乘积 ， 叫做开关损失 。通常开关损失比导通损失大得多 ， 而且开关频率越高 ， 损失也越大 。导通瞬间电压和电流的乘积很大 ， 造成的损失也就很大 。缩短开关时间 ， 可以减小每次导通时的损失；降低开关频率 ， 可以减小单位时间内的开关次数 。这两种办法都可以减小开关损失 。
3.MOS管驱动
跟双极性晶体管相比 ， 一般认为使MOS管导通不需要电流 ， 只要GS电压高于一定的值 ， 就可以了 。这个很容易做到 ， 但是 ， 我们还需要速度 。在MOS管的结构中可以看到 ， 在GS ， GD之间存在寄生电容 ， 而MOS管的驱动 ， 实际上就是对电容的充放电 。
对电容的充电需要一个电流 ， 因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路 ， 所以瞬间电流会比较大 。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小 。
扩展资料
pmos与nmos的辨别
第一种方法就是可以根据电流的方向来判断 ， 如下图说是 ， 电流流出的为NMOS
下图为PMOS管 ， 电流流入的为PMOS管
第二种方法是根据衬底PN结的方向 ， PN结指向内的为NMOS管 ， 如下图所示
PN结指向外的为PMOS管 ， 如下图所示
pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道 ， 靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名 ， positiveMOS 。NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor ， 意思为N型金属氧化物半导体 ， 拥有这种结构的晶体管称之为NMOS晶体管 。
nmos与pmos驱动能力对比
NMOS的电流Id必须从D流到S ， 而PMOS的电流必须从s流到d一般RDS非常小 ， 在导通时D与S电压几乎一样 ， G端电压比D端高出一个启动电压 ， 实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压 ， 这是N沟道MOS管导通的必要条件 。NMOS导通需要gs有一个正压 ， 导通时 ， 必须通过自举电容来获取gs的正压 ， pmos导通gs需要一个负压 ， 即G端电压要小于s端电压 ， 这样ic实现起来就很方便了 ， 不用之举电容 。
但是pmos没有nmos流行的原因是 ， pmos导通压降大 ， 效率低 ， Pmos的同态电阻比NMOS大 ， 输入电压低 ， 而且还有成本问题 ， 所以开关电源主开关管很少用PMOS导通的意思是作为开关 ， 相当于开关闭合 。NMOS的特性 ， Vgs大于一定的值就会导通 ， 适合用于源极接地时的情况低端驱动 ， 只要栅极电压达到4V或10V就可以了 。

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