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小伙伴们好，最近小龙发现有诸多的小伙伴们对于场效应管原理这个都颇为感兴趣的，那么小龙今天就来为大家梳理下具体的一些信息一起来看看吧 。
1、FET的工作原理，换句话说就是“流经漏源之间沟道的ID，用来控制栅极和沟道之间pn结形成的反向偏置的栅极电压” 。更准确地说，ID流过的沟道的宽度 ， 即沟道的横截面积，是由pn结反向偏置的变化来控制的，从而导致耗尽层的膨胀变化 。
【场效应管原理 场效应管原理图】2、场效应晶体管(FET)简称场效应晶体管 。主要有两种类型(结型场效应晶体管——JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET) 。由多数载流子传导，也称为单极晶体管 。属于压控半导体器件 。
3、由于过渡层中没有电子和空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流难以流动 。但此时漏源之间的电场实际上是两个过渡层接触漏极和栅极的下部 ， 被漂移电场拉走的高速电子穿过过渡层 。因为漂移电场的强度几乎是恒定的，所以会发生ID的饱和现象 。
4、该电路结合使用增强型P沟道MOSFET和增强型N沟道MOSFET 。当输入端为低电平时，P沟道MOSFET导通，输出端与电源正极相连 。当输入端为高电平时，N沟道MOSFET导通，输出端与电源地相连 。在这个电路中 ， P沟道MOSFET和N沟道MOSFET总是工作在相反的状态，它们的相位输入和输出是相反的 。
本文到此结束，希望对大家有所帮助 。
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