3分钟了解晶体生长技术 晶体生长( 二 )


2)生长出的晶体形状是事先固定的,所以丝和箔形状的晶体容易生长出来;
3)取向往往容易控制;
4)在除去溶剂化以外的固相生长中,杂质和其他添加剂成分的分布在生长之前是固定的,并且不受生长过程的改变(除了由于相当缓慢的扩散而略有改变) 。
从固相生长晶体有五种主要方法:
(1)退火用于消除应变的再结晶;
(2)烧结生长;
(3)利用多态性进行转化和生长;
(4)失透再结晶;
(5)通过固体沉淀进行重结晶(有时称为去溶剂化生长,这种方法尚未用于单晶生长) 。

晶体生长方法的分类
一般来说,如果把晶体生长的整个过程分解,至少应该包括以下基本过程:溶质溶解、晶体生长元素的形成、晶体生长元素在生长介质中的输运、晶体生长元素在晶体表面的运动和结合以及晶体生长界面的过渡,从而实现晶体生长 。因此,从宏观角度来看,晶体生长过程是晶体与环境相(蒸气、溶液和熔体)的界面不断向环境相转移的过程,即含有晶体单元的母相由低序相转变为高序相 。从微观上看,晶体生长过程可以看作是一个“初等”过程,所谓“初等”是指结晶过程中最基本的结构单元 。广义而言,“元素”可以是原子、分子,也可以是具有一定几何构型的原子(分子)聚集体 。

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