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大家好,小龙来为大家解答以上的问题 。8050三极管参数是多少 ， 8050三极管参数这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！
1、s8050三极管基本参数：类型：NPN 。
2、集电极耗散功率Pc：0.625W（贴片：0.3W） 。
3、集电极电流Ic：0.5A 。
4、集电极-基极电压Vcbo：40V 。
【8050三极管参数 8050三极管参数是多少】5、集电极-发射极电压Vceo：25V 。
6、集电极-发射极饱和电压Vce(sat)： 0.6V 。
7、特征频率f： 最小150MHz 。
8、按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档 。
9、放大倍数：B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 。
10、管脚排列顺序：E、B、C或E、C、B 。
11、S8050是一款小功率NPN型硅管，集电极-基极（Vcbo）电压最大可为40V，集电极电流为（Ic）0.5A 。
12、S8050是电路硬件设计最常用半导体三极管型号之一 。
13、扩展资料理论原理：对于NPN管 ， 它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成 ， 发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector) 。
14、当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态 ， 集电极电源Ec要高于基极电源Eb 。
15、由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给 ， 从而形成了基极电流Ibo 。
16、参考资料来源：百度百科-S8050参考资料来源：百度百科-三极管 。
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