三极管知识最详细解释版本什么是三极管( 二 ) _资源

三极管的放大功能
IC = * IB(其中≈ 10~400)
示例:当基极电流IB=50A时，集电极电流:
IC=IB=120*50A=6000A
微弱的电信号通过三极管放大成波幅大的电信号，如下图所示:

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因此，三极管放大信号幅度，但三极管不能放大系统的能量。
你能放大多少？
那得看三极管的放大值！
【三极管知识最详细解释版本什么是三极管】首先是由三极管的材料和工艺结构决定的:
比如硅三极管值的常用范围是30~200 。
锗三极管值的常见范围是:30~100 。
值越大，漏电流越大，值太大的晶体管性能不稳定。
其次，它会受到信号频率和电流的影响:
信号频率在一定范围内，数值接近常数。当频率超过一定值时，该值会明显降低。
值随集电极电流IC的变化而变化，IC为毫安级时的值较小。一般来说，小功率管的放大倍数大于大功率管。
三极管的主要性能参数

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温度对三风险栅电极管性能的影响
温度几乎影响三极管的所有参数，其中以下三个参数影响最大。
(1)对放大倍数的影响

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当基极输入电流IB恒定时，集电极电流IC将由于温度升高而急剧增加。
(2)对反向饱和电流(漏电流)ICEO的影响
ICEO是少数载流子漂移形成的，与环境温度密切相关，ICEO会随着温度的升高而急剧升高。当温度上升10℃时，ICEO将会翻倍。

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虽然硅管的漏电流ICEO在室温下很小，但温度升高后漏电流会高达几百微安。
(3)对发射极结电压UBE的影响
当温度上升1℃时，UBE将下降约2.2毫伏..

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当温度上升时，集成电路将增加，UCE将减少。在电路设计中，应采取相应的措施，如远离热源、散热等，以克服温度对三极管性能的影响。
三极管的分类

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三极管命名标志
不同的国家/地区有不同的三极管型号名称。也有很多厂商使用自己的命名方式。

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例:BC208A硅材料低频低功率三极管
三极管封装和引脚排列
关于包装
三极管的设计额定功率越大，其体积越大。由于封装技术的不断更新和发展，三极管的封装形式也多种多样。
目前三极管的主流封装形式是塑料封装，其中以“TO”和“SOT”封装形式最为常见。
关于引脚排列
不同品牌、不同封装的三极管引脚定义不完全一样。一般有以上规则:
规则1:对于中高功率三极管，集电极明显较厚，甚至与大面积金属电极相连，多在基极和发射极之间；
规则二:对于芯片晶体管，面对标识时，左边是基极，右边是发射极，集电极在另一边；

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基极-b集电极-c发射极-e
三极管的选择原则
考虑三极管的性能极限，根据“2/3”安全原则选择合适的性能参数。：
集电极电流集成电路:
集成电路ICM集电极最大允许电流
当IC>ICM时，三极管值降低，放大功能丧失。
集电极功率PW:
PWPCM收集器最大允许功率。
当PW > PCM时，三极管会烧坏。
集电极-发射极反向电压UCE:
当UCEUBVCEO的基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。
当集电极/发射极电压UCE>UBVCEO时，三极管产生较大的集电极电流击穿，造成永久性损伤。
工作频率:
=15%*T
t-特征频率
随着工作频率的增加，三极管的放大能力会降低，与=1对应的频率t称为三极管的特征频率。
此外，还应考虑体积成本，优先选择芯片晶体管。