三极管知识最详细解释版本什么是三极管 _资源

什么是三极管(三极管知识最详细的版本)？晶体管是半导体的基本元件之一，具有电流放大功能，是电子电路的核心元件
在电子元件家族中，三极管是半导体有源元件中的分立元件。

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大体来说，三重奏有很多种，常见的如下图所示。

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狭义地说，三极管是指双极型三极管，是最基本、最通用的三极管。
本文描述了狭义三极管。对于其他内容，请单击以下链接:

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三极管的发明
在晶体管出现之前，电子晶体管通过放大和开关功能控制电子电路中的电流是真的。

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True 空电子管存在重量大、能耗大、响应慢等缺点。
二战期间，军事上迫切需要稳定、可靠、快速、灵敏的电信号放大器，二战后取得了研究成果。

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早期由于锗晶体易得，主要开发应用锗晶体管。硅出现后，由于硅管生产工艺的高效率，锗管逐渐被淘汰。
经过半个世纪的发展，出现了多种不同形状的三重奏。

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低功率三极管通常是塑料封装的；大功率三极管通常用金属铁壳封装。
晶体管核心结构
是核心的“PN结” 。
是两个背靠背的PN结。
可以是NPN组合，也可以是PNP组合。
由于硅NPN晶体管是当前三极管的主流，以下内容主要以硅NPN晶体管为例:
NPN三极管结构示意图

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硅氮磷晶体管的制造工艺

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模具结构剖视图

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技术特点:
高掺杂发射极区:为了便于发射极结发射电子，发射极区的半导体掺杂浓度高于基区，发射极结的面积较小；
基区尺度很薄:3~30m，掺杂浓度低；
大电结面积:集电极区和发射极区是相同性质的掺杂半导体，但集电极区的掺杂浓度要低，面积要大，便于收集电子。
三极管不是两个PN结拼凑而成的。两个二极管不能组成一个三极管！
结构在半导体工业中非常重要。PN结不同的材料成分、尺寸、排列方式、掺杂浓度和几何结构可以制作出包括ic在内的各种元器件。
三极管电路符号

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三极管电流控制原理示意图

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三极管基本电路
施加的电压使发射极结正向偏置，集电极结反向偏置。

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集电极/基极/发射极电流之间的关系:
IE = IB + IC
IC = * IB
如果IB = 0，则IE = IC = 0
晶体管特性曲线
输入特性曲线
集电极-发射极电压UCE为一定值时基极电流IB与基极-发射极电压UBE的关系曲线。

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UBER是三极管的临界启动电压，会受到集电极和发射极电压的影响。正常运行时，NPN硅管的启动电压约为0.6V；
UBEUBER，三极管会启动；
当UCE增加时，特征曲线向右移动，但当UCE>1.0V时，特征曲线几乎不再移动。
输出特性曲线
当基极电流IB恒定时，集电极IC和集电极-发射极电压UCE之间的关系曲线是一组曲线。

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当IB=0时，称为三极管处于关断状态的IC→0相当于关断；
当IB>0时，IB的微小变化会在放大几十倍甚至上百倍的IC中表现出来；
当IB很大时，IC变得太大，无法随着IB的增大而继续增大，三极管失去放大功能，说明开关导通。
三极管的核心功能
放大功能:小电流变化小，大电流时可以放大。
功能:用小电流控制大电流的通断。