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空盘条件下SLC写入缓存容量从大到小依次是:西数SN770的360GB、雷克沙NM760的170GB、致态TiPlus7100的160GB、三星980 PRO的120GB和英睿达P5 Plus的100GB 。西数SN770因为是全盘SLC策略,缓存用尽后闪存空白块也用完了,直接进入边释放边写入状态(写入速度大约560MB/s) 。英睿达P5 Plus虽然不是全盘SLC,但也采取了缓存用尽后直接进入边释放边写入阶段(写入速度大约1365MB/s) 。致态TiPlus7100和雷克沙NM760在缓存外都是先经历一段TLC直写过程(速度分别为2070MB/s和1960MB/s),然后进入边写入边释放过程(速度分别为738MB/s和864MB/s) 。三星980 PRO比较特殊,它在写入缓存用完后呈现一个速度缓慢爬坡的过程,最后变成TLC直写 。
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在覆盖完全盘范围之后,所有盘都将进入TLC直写阶段,上图中体现的是完全不受缓存影响的闪存写入能力 。三星980 PRO 1TB以2200MB/s排第一,致态TiPlus7100 1TB以2088MB/s紧随其后,雷克沙NM760 1TB以1836MB/s排名第三 。英睿达P5 Plus 1TB(1715MB/s)和西数SN770 1TB(1522MB/s)分列第四和第五名 。
这五款PCIe 4.0 SSD的闪存写入性能相比PCIe 3.0 SSD都有很大的提升 。特别是致态TiPlus7100更是以四通道规格实现了八通道旗舰级的写入速度,效能表现尤为突出 。
理论性能测试3:温度压力测试
温度压力测试是本次横评中唯一在被动散热条件下进行的测试项目,其目的是通过满负荷读取考验SSD在不利散热条件下的温控算法 。优秀的温控算法应该能够在保障温度不超过安全范围的前提下尽可能地减少对性能的影响 。在22度室温条件下通过IOMeter 128KB QD32顺序读取施加压力,HWiNFO64每秒记录温度及速度数据 。
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三星980 PRO的温控逻辑较为清晰,当闪存温度达到82度后读取限速5135MB/s,如果主控温度达到100度,则读取限速进一步收紧到1350MB/s 。在温度压力测试的后半段,读取速度基本就是在这两个温度之间来回切换 。
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英睿达P5 Plus的主控虽然通过金属层增强了散热,但温度依然比较高 。温度读数达到77度后读取限速1660MB/s,温度降至72度后解除限速,但由于发热量大,全速读取只能持续10秒左右就再次因过热而限速 。
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致态TiPlus7100在温度达到73度后进入限速1(大约5000MB/s),达到75度后进入限速2(大约3758MB/s) 。在测试过程中代表闪存温度的温度2最高只有69度 。
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西数SN770在压力测试中主控温度读数最高可以达到90度(红外热成像观测实际有110度),是五款SSD当中最高的,但同时也是最晚进入过热限速状态的(除了完全不会过热限速的雷克沙NM760) 。SN770在温度读数达到90时进入限速,速度波动非常频繁,始终将温度读数控制在85度到90度之间 。
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