中国市场电镜新品汇总 电子显微镜价格( 三 )


国仪量子|场发射扫描电子显微镜SEM5000


场发射扫描电镜SEM5000
参考价格:200-300万元
新品场发射扫描电子显微镜SEM5000,是一款高分辨的多功能扫描电镜,分辨率优于1 nm,放大倍数超过一百万倍 。SEM5000的新型镜筒,优化了电子光路设计,采用高压隧道技术,在高电压和低电压下均能实现高质量成像;系统配置了无漏磁物镜,实现了无漏磁高分辨成像,适用于磁性样品分析;可选配多种探测器及其它分析仪器,能够满足用户的各种需求 。将广泛应用于锂电池材料、新型纳米材料、半导体材料、矿物冶金、地质勘探、生物等领域 。
透射电镜:冷冻电镜、球差电镜,国产扫描透射
透射电镜方面,面向高端市场的扫描透射电镜成为新品主流 。日本电子新一代冷冻电镜JEM-3300年初上市 。赛默飞球差电镜新品Spectra Ultra、扫描透射电镜新品Talos F200E更加关注半导体领域 。国产方面,基于生物到实验室和生物物理所合作,针对病理组织样本高通量成像需求的专用扫描透射电子显微镜SmartView发布 。
日本电子|新型冷冻电镜JEM-3300
新型冷场发射低温电子显微镜(cryo-EM)——CRYO ARM?300 II (JEM-3300)
发布时间:1月22日
参考价格:3000-5000万元
JEM-3300新型冷冻电镜基于“快速、易于操作、获得高对比度和高分辨率图像”的理念而开发 。与之前的CRYO ARM? 300相比,JEM-3300可进行高质量数据的快速采集、操作简便,并在通量方面有大幅提升 。
主要特点:通过最佳电子束控制实现高速成像,独特的“Koehler mode”照射模式允许均匀电子束照射到样品的特定位置,JEM-3300吞吐量相比上一代提升两倍或更高;提高了高质量图像采集的硬件稳定性,配备了一种新型冷场发射枪(cold FEG)、新的柱内 Omega 能量过滤器;系统升级后可操作性更高等 。
赛默飞| 球差校正透射电镜Spectra Ultra


新一代扫描透射电镜Spectra Ultra S/TEM
发布时间:3月3日
参考价格:2500-5000万元
全新Spectra Ultra在数分钟内即可灵活优化高级成像和分析条件 。出于加快材料研究进程以及高通量需求,用户现在可以以非常快的速度稳定地调节加速电压 。这极大扩展了研究的样品范围,最大程度地减少了电子束损伤,并显著降低了工具的优化耗时 。
“配置了Ultra-X的Spectra Ultra改变了材料科学研究人员和半导体从业者的游戏规则 。它可以通过迅速施加不同的加速电压来显著减少电子束损伤,并且用户将能够检测极低浓度的轻元素 。”赛默飞世尔材料科学副总裁Rosy Lee表示,“此外,与其他商业化解决方案相比,用户可以以更高的分辨率快速成像快速分析,以研究新材料和改进现有材料 。”
赛默飞| Talos F200E扫描透射电镜
Talos F200E扫描透射电镜
发布时间:3月17日
参考价格:600-1500万元
Talos F200E (S)TEM提供原子级分辨率成像、快速EDS)分析和增强的数据可靠性,专为满足半导体行业日益增长的需求而设计 。且具有成本效益,易用性高,帮助半导体实验室实现快速的样品表征,加快可以量产的速度,提高制程良率 。
“随着创新的步伐不断加快,半导体企业要求其分析实验室加快周转时间,并在各种设备和工艺技术上提供更可靠和可复现的(S)TEM数据,以支持他们的业务,”赛默飞半导体事业部副总裁Glyn Davies表示,“Talos F200E通过提供高质量的图像数据、快速的化学分析和行业领先的缺陷表征等特质,可以为客户提供高性价比、易用的解决方案 。”
纳镜鼎新|高通量生物扫描透射电子显微镜SmartView


高通量生物扫透电子显微镜智眸365(Smart View 365)
发布时间:7月28日
智眸365(Smart View 365)以其高通量、全自动、超高清图像的优越特性在降低人员工作强度的同时为专家分析和诊断病理提供更多的信息,有效提高诊断的效率与正确率 。满足专业用户对超微病理诊断的需求 。
主要特点包括:高通量高效率,插入病理切片样品仓,选定工作模式,一次性自动连续完成多至500个样品成像等;高分辨,分辨率高达0.9nm STEM图像;高稳定运行,长寿命、超稳定的场发射电子源;使用简单等 。
聚焦离子束显微镜
赛默飞|Helios 5 EXL晶圆双束透射电子显微镜
Helios 5 EXL晶圆双束透射电子显微镜
发布时间:4月21日
参考价格:700-1500万元
Helios 5 EXL旨在满足半导体厂商随着规模化经营而不断增加的样品量以及相应的分析需求 。这款产品拥有的机器学习和先进的自动化能力,可提供精确的样品制备,以支持5纳米以下节点技术和全环绕栅极半导体制程以及良率提高 。

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