真我gtneo5深度测评 真我gtneo5手机怎么样

USB 标准的管理者 USB-IF 组织推出了 USB PD 充电协议的新版本,支持了最大 240W 的输入功率 。在当时的手机市场中,120W 快充尚且只是高端产品的专属,240W 似乎还是遥不可及的目标 。但是,在一年多以后的今天,240W 快充就已经出现在我们眼前了 。

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真我 GT Neo5
没错,我说的就是刚刚发布的真我 GT Neo5 。近两年真我在快充之路上可谓是成果不断,上代产品真我 GT Neo3 刚刚首发了 150W 光速秒充,在 GT Neo5 上就又拿出达到当下 Type-C 接口极限的 240W 满级秒充 。除此之外,骁龙 8+、1.5K、144Hz、2160Hz 超高频 PWM 调光高刷护眼屏等参数也都颇具竞争力 。下面就来和我看看它的产品力究竟如何吧~
01 充电与续航:充不到十分钟就够你用一天
面对这样一款刷新快充功率极限的产品,我们肯定要先试试它的快充体验究竟如何 。测试开始前,我将手机消耗至 1%剩余电量,静置 10 分钟后,使用原装 240W 充电器与数据线进行测试,室温控制为 26 摄氏度 。根据实测,真我 GT Neo5 在 5 分钟即可充至 62%,9 分 47 秒即可满电 。
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除了满电时间突破 10 分钟大关外,真我 GT Neo5 在 2 分钟充至 32%的成绩也相当值得关注,这意味着你哪怕在上班出门前才发现手机即将没电关机,也可以挤出两分钟时间来保证手机足以扛过漫长的通勤时间 。
当然,这样出色的快充成绩少不了技术创新的帮助 。为了实现 240W 满级秒充,真我 GT Neo5 在电池、充电器、线缆等方面都进行了大幅升级 。
手机方面,真我 GT Neo5 为了实现 240W 的超高功率输出,首发了 240W 定制三路电荷泵,通过特殊的并联分流设计,将充电时的核心发热源分散在手机不同位置,采用 4:2 大功率充电架构,通过将大电流分解为三路小电流充电,不仅降低充电通路的阻抗,同时还提升了整体的转化效率、减少了热量的集中积累 。
由于采用了 240W 的超高功率,真我 GT Neo5 的充电电流也达到了行业前所未有的 12A,此时普通的 USB 数据线已经无法承载如此之高的电流,为此真我专门定制了 21AWGx4 行业最高规格数据线,载流能力相比上一代提升 20% 。同时为了进一步保证充电的安全和稳定,真我 GT Neo5 还增加了双层铂金电泳 USB-C 口设计,降低了线材和接口的接触阻抗,并让充电口有效应对高压负载积液带来的腐蚀 。
为了不让 240W 满级秒充的充电器成为一块大砖头,真我 GT Neo5 的充电器采用了当前行业领先的双 GaN 设计,功率密度达到 2.34W/CC 。对比上一代 150W 充电器,在体积仅增加 5%的同时充电功率提升了 60% 。同时通过离散式热源电路设计、全密封气凝胶隔热膜以及全新的均衡壳温热量扩散算法调教,实现对于热量扩散的全面把控,有效提升了充电器的温升控制表现 。
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240W 充电器与 150W 充电器对比
面对这么高的充电功率,相信不少朋友都会担心安全问题 。为了解决这个关键问题,真我 GT Neo5 采用 PS3 防火设计,配备全链路安全监控机制和多达 60 道安全防护措施,真正做到从充电器、数据线、手机充电接口、充电电路到电池电芯的全方位保障,让整个 240W 的充电链路都能符合最高等级功率危险源防护要求 。在多方面安全保障的帮助下,真我 GT Neo5 也顺利通过了菜茵安全快充认证 。
除了快充之外,手机的续航能力同样重要 。为了更直观感受真我 GT Neo5 的续航表现,笔者对其进行了 5 小时重度续航测试,在当前室温环境下,连接办公室 Wi-Fi,关闭蓝牙定位,屏幕亮度、音量均设为 50%,其结果如下:
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可以看到,经过 5 小时测试后,真我 GT Neo5 最终电量来到了 50%,对于一款高性能旗舰来说,这个续航成绩还是令人满意的,真我 GT Neo5 的续航足以支撑一天的正常使用 。
总体来看,真我 GT Neo5 的 240W 满级秒充绝对能为用户带来完全不同的使用体验 。从我个人的使用体验来看,如果说此前百瓦级快充能做到洗漱期间充电手机电量就够用一天的话,那么现在手机充满电的时间甚至比我洗漱还要快得多 。结合上真我 GT Neo5 不错的续航表现,无疑能最大程度地消灭用户的续航焦虑 。
02 性能:骁龙 8+依旧能打 1TB 超大存储带来越级体验
作为“潮玩电竞旗舰”,真我 GT Neo5 在性能方面自然也不会落下,骁龙 8+处理器搭配 LPDDR5X 内存以及增强版 UFS 3.1 闪存,整体配置在当下的手机市场仍然算得上是第一梯队 。为了验证其性能表现,我们首先请出评测编辑们的“好朋友”安兔兔和 3D Mark,对这款手机进行跑分测试 。可以看到,安兔兔成绩达到了 1098647 分,3D Mark 成绩达到 2793 分,表现十分出色 。

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